Сайт о современной художественной ковке металла мастерами
Модно, Стильно, Красиво.
Художественная эмаль
Художественная эмаль возникла еще во времена Древнего Египта сначала как имитация драгоценных камней и применялась как...
Кованая роза
Конечно, кованая роза больше подходит для оформления классических, ренессансных, барочных интерьеров, чем для современных...
Кованая оружие
Ковка оружия бесспорно является одним из направлений наших работ, потому что кованая оружие - это замечательный сувенир...
Интересные статьи:
Гафний
В производстве чистого циркония гафний получают в виде побочного продукта, отделяя его от циркония. В цирконовых рудах всегда содержится от 0,2 до 15 % гафния (от общего содержания циркония в руде)...
Титан
Титан, по-видимому, является одним из наиболее важных тугоплавких металлов, используемых в технике. Достижения в области производства титана очень велики, сейчас титан получают в больших количествах...
Цирконий
В последнее время достигнуты большие успехи в металлургии циркония и титана. Общий обзор металлургии циркония, по данным многочисленных статей, опубликованных в американской литературе после 1945 г...
Влияние атомарного водорода НА СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКА |
08-12-2023 |
Для расчета эквивалентного сопротивления Rb, величины барьера qФB по экспериментальным ВАХ была составлена программа (расчет производился и то ных методом по критерию наименьших квадратов). Оказалось, что разница между величинами qФB образцов, обработанных в Н и ни, составляет 0,130 и 0,176 эВ соответственно для nSi (100) и nSi (111).
Так, расчеты параметров контакта металл полупроводник коррелируют с результатами, полученными методом динамического конденсатора и подтверждают возможность длительной модификации потенциала поверхности полупроводника под действием Н и зависимость от кристаллографической ориентации кристаллов.
Исследование ВАХ структур NiSi, обработанных и необработанных в Н, показали изменение вида ВАХ (рис. 4).
Рис. 5. ВАХ кристаллов германия после обработки тонкопленочных структур (NiGe)
атомарным водородом: а 0 мин б 15 мин., в 30 мин г 60 мин
На начальном этапе обработки структуры прямая ветвь ВАХ почти не меняется, а изменения претерпевает обратная ветвь. Это связано с наличием процесса распыления и очистки боковой поверхности контакта. Дальнейшая обработка усиливает тенденцию изменения ВАХ. Такое явление связывается с процессом диффузии атомарного водорода в границе раздела металл полупроводник и изменением потенциала поверхности.?
Поскольку кремний имеет плотную пленку естественного окисла, который мешает диффузии атомов из пленки в кристалл, то при взаимодействии Н с системами на основе Si процесс введения атомов из пленки в кристалл является несущественным. Однако при рассмотрении тонкопленочных систем на основе Ge такой процесс может существенно влиять на электрофизические свойства структур.
Для исследования процесса низкотемпературного легирования кристалла атомами пленки использовалась система NiGe [10]. Это связано с тем, что Ge имеет слой окиси, который легко снимается атомарным водородом, то есть так называемым «открытым» для воздействия атомарного водорода.
Как известно, никель в германии является акцептором. Поэтому легирование приповерхностных слоев nгерманию (ps == 1 Омсм, n = 1015 см 3) никелем с концентрацией р> n может приводить к образованию рnпереходу. Для выявления таких pnпереходов и их исследование в кристаллах германия с пленками никеля, обработанных в атомарном водороде, измеряли ВАХ (рис. 5).
Измерение эталонных образцов германия (необработанные в Н кристаллы, на которые пленки Ni напилювалися, а затем зтравлювалися) показал, что ВАХ в этом случае почти линейная (рис. 5, а).
Горячеоцинкованный металлопрокат Ультратонкие порошки Химический анализ Современное состояние непрерывной разливки стали за рубежом Физические методы исследования