Интересные статьи:
Карбиды металлов и спеченные твердые сплавы тугоплавких металлов
Производство спеченных твердых сплавов на основе карбидов металлов относится к классической области порошковой металлургии. В начале в этих сплавах использовался почти исключительно карбид вольфрама, однако по мере развития производства твердых сплавов стали использовать и карбиды других металлов, в том числе...
Гафний
В производстве чистого циркония гафний получают в виде побочного продукта, отделяя его от циркония. В цирконовых рудах всегда содержится от 0,2 до 15 % гафния (от общего содержания циркония в руде)...
Титан
Титан, по-видимому, является одним из наиболее важных тугоплавких металлов, используемых в технике. Достижения в области производства титана очень велики, сейчас титан получают в больших количествах...
Влияние атомарного водорода НА СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКА |
07-12-2023 |
Таким образом, изменение потенциала на образцах с состаренным слоем окиси проходит преимущественно за счет физической адсорбции. Взаимодействие Н с образцами, на поверхности которых слой SiO2 имеет минимальную толщину, сопровождается еще и химической адсорбцией. Потенциал поверхности таких образцов при комнатных условиях изменяется незначительно и остается на уровне, существенно отличается от исходного состояния к обработке.
Рис. 1. Изменение потенциала поверхности от времени обработки атомарным водородом свижопротравлених образцов
Определение влияния атомарного водорода на электрические параметры системы «металл полупроводник» проводились на двух системах: металл немодифико ваний Si и металл обработан атомарным водородом Si. Измерения показали различия ВАХ структуры
тур, которые были изготовлены из обработанного (3 мин) и необ деланно атомарным водородом Si (рис. 3).
Обработка поверхности полупроводника атомарным водородом приводит к увеличению «пятки» прямой ветви ВАХ. Отличие характеристик сохраняется даже после 6 месяцев выдержки при комнатных условиях, го ворит о наличии необратимых изменений параметров поверхности Si.
С учетом явлений диффузии и дрейфа носителей заряда через обедненный слой полупроводника у контакта зависимость плотности тока от напряжения на контакте [9]
Jx = JS [exp (qVA / KbT) 1], (1)
где J = (q2DnNc/kbT) [2q ^ г Va) ND / TS] 1 / 2exp (qФвВД, Dn коэффициент диффузии электронов; Nc эффективная плотность состояний в зоне проводимости es диэлектрическая постоянная полупроводника; Va приложено напряжение; Nd концентрация донорной примеси ; ФГ и ФВ изгиб зон и поверхностный барьер.
В реальной структуре приложено напряжение падает не только на переходе металл полупроводник, но и на сопротивлении базы и контактов. С учетом сопротивления базы Rb и площади перехода S уравнения (1) приобретает вид
I = SJs [exp (q (Va IRb) / кbT) 1].
Рис. 2. Релаксация потенциала поверхности образцов после обработки в течение 300 с в Н:
а образец Si с толстым слоем природного окиси б исходное состояние образца Si с толстым слоем природного окиси; в образец Si с тонким слоем окиси, г исходное состояние образца, свижопротравленого Si
Рис. 3. Вольтамперные характеристики структур NinSi (100) 0,3 Омсм:
а структуры, изготовленные из контрольного Si б структуры, изготовленные из обработанного в Н Si
Для учета различий реальной структуры от идеальной необходимо учесть не только различие величины барьера qФB, которая возникает при наличии на поверхности полупроводника поверхностных состояний, но и сопротивление базовой области и сопротивление контактов. При достаточно больших токах через переход зависимость
тока от напряжения меняется с экспоненциальной в линейную. Это позволяет по части прямой ветви ВАХ определить эквивалентное сопротивление структуры, который включает в себя сопротивление базы и активное сопротивление контактов.
Механикотехнологические методы испытаний
Железные материалы Ф. Аизенкольб: производство и области применения
Ультратонкие порошки
Общие сведения о производстве меди и алюминия.