Сайт о современной художественной ковке металла мастерами
Модно, Стильно, Красиво.
Художественная эмаль
Художественная эмаль возникла еще во времена Древнего Египта сначала как имитация драгоценных камней и применялась как...
Кованая роза
Конечно, кованая роза больше подходит для оформления классических, ренессансных, барочных интерьеров, чем для современных...
Кованая оружие
Ковка оружия бесспорно является одним из направлений наших работ, потому что кованая оружие - это замечательный сувенир...
Интересные статьи:
Карбиды металлов и спеченные твердые сплавы тугоплавких металлов
Производство спеченных твердых сплавов на основе карбидов металлов относится к классической области порошковой металлургии. В начале в этих сплавах использовался почти исключительно карбид вольфрама, однако по мере развития производства твердых сплавов стали использовать и карбиды других металлов, в том числе...
Гафний
В производстве чистого циркония гафний получают в виде побочного продукта, отделяя его от циркония. В цирконовых рудах всегда содержится от 0,2 до 15 % гафния (от общего содержания циркония в руде)...
Титан
Титан, по-видимому, является одним из наиболее важных тугоплавких металлов, используемых в технике. Достижения в области производства титана очень велики, сейчас титан получают в больших количествах...
Влияние атомарного водорода НА СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКА |
07-12-2023 |
РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
Исследование потенциала поверхности образцов показали, что обработка wSi (100) и ^ Si (iii) атомарным водородом приводит к изменению поверхностного потенциала
(Рис. 1). Измерения показывают, что потенциалы поверхностей реального n и ^ Si почти не отличаются друг от друга разность потенциалов составила 0,050 x0, 070 эВ. Это подтверждает наличие явления «пиннинга» уровня Ферми на поверхности полупроводника [6].
Потенциал начинал меняться уже после 30 секунд взаимодействия кристалла с атомарным водородом, а после 35 минут взаимодействия потенциал поверхности достигал насыщения. Экспериментально зафиксировано, что большее влияние испытывает /> Si (111) по сравнению с nSi (100). После обработки разность потенциалов между ^ Si (111) и nSi (100) составляла 0,1 эВ. Такое различие во взаимодействии атомарного водорода с кристаллами может быть повязанная как с различной кристаллографической ориентацией, так и с процессом комплексообразования водорода с атомами примеси бора и фосфора [7].
В результате исследований влияния атомарного водорода на сопротивление подложек установлено, что для всех образцов Si (0,3 и 1 Омсм) с началом действия атомарного водорода наблюдался скачок величины сопротивления, что, согласно [8], связано с процессами генерации свободных носителей заряда под действием рекомбинации атомарного в молекулярный водород и процессом адсорбции. Сопротивление образцов изменялся во время обработки до 20% от исходного состояния, при этом относительное изменение сопротивления является большей на образцах с большим удельным сопротивлением. После прекращения действия атомарного водорода сопротивление структур со временем возвращался к исходным значениям. Исходя из этого факта, в условиях обработки комплексообразования, которое повлияло на сопротивление образцов не происходит, а изменение сопротивления Si при обработке Н обусловлена процессами адсорбции и генерации неравновесных носителей заряда.
Исследование влияния атомарного водорода на поверхность nSi (100) и nSi (111) с одинаковым удельным сопротивлением показали, что изменение потенциала для nSi (111) на 0,07 эВ выше, чем для nSi (100). Согласно [9], плотность разорванных связей на поверхности Si (111) больше, чем на Si (100), поэтому большие по значению изменения потенциала Si (111) связаны с ее большей активностью к взаимодействию с водородом. Таким образом, взаимодействие Н с поверхностью полупроводника при данных условиях обработки не зависит от типа проводимости, а определяется состоянием поверхности количеством разорванных связей, адсорбированными частицами и т.д..
В течение некоторого времени после обработки на всех опытных образцах наблюдается уменьшение потенциала поверхности, т.е. происходит его релаксация в сторону начального значения (рис. 2).
После прекращения действия водорода потенциал поверхности возвращается почти к исходному состоянию за 3648 часов, если на образцах был состаренный слой природного окиси (выдержка после травления при комнатных условиях в течение нескольких месяцев). На образцах с тонким окислом, который образовался непосредственно после обработки кристаллов в HF при контакте с воздухом, потенциал поверхности значительно отличается от первоначального даже после 240 часов выдержки при комнатных условиях (разность потенциалов обработанного и контрольного образцов составляет 0,18 эВ).
Получение электролитических порошков РАЗВИТИЕ ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬСТВА В МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОЙ ОТРАСЛИ Изготовление специальных порошков. Порошки карбидов Легированные порошки НАУЧНО-ПРИКЛАДНЫЕ ОСНОВЫ обеспечения эксплуатационной надежности промысловых трубопроводов